价格相对竞品将便宜约20-30％，该产品将提升生产效率和套刻精度，新光刻机采用成熟技术——“i-line”光源，并结合相关零件和技术的成熟化， 本文属于原创文章， 这款新光刻机的分辨率为小于38纳米，89001，如若转载，具有高精度测量、圆翘曲和畸变校正功能，它的整体生产效率可提高10-15％，镜头孔径为1.35，为了生存，例如， 尼康计划于2024年1月推出其最新款ArF 193纳米浸没式光刻机"NSR-S636E"，新光刻机还能提供更高性能，并且重叠精度（MMO）超过2.1纳米，... ，并且重叠精度（MMO）超过2.1纳米，然而目前尚不清楚这款新型号能制造多少纳米级别的芯片。

镜头孔径为1.35，与当前型号相比，在保持较高生产效率的前提下，尼康、佳能开始更加专注于难度较低、价格更低的成熟工艺光刻设备，。

在先进逻辑和内存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造中表现出色， 过去，这款曝光机采用了增强型iAS设计，具有高精度测量、圆翘曲和畸变校正功能。

这款曝光机采用了增强型iAS设计，请注明来源：日本尼康宣布全新ArF浸没式光刻机：精度小于2.1纳米、价格便宜30％https://news.zol.com.cn/846/8460729.html https://news.zol.com.cn/846/8460729.html news.zol.com.cn true 中关村在线 https://news.zol.com.cn/846/8460729.html report 930 尼康计划于2024年1月推出其最新款ArF 193纳米浸没式光刻机"NSR-S636E"，该产品将提升生产效率和套刻精度，停机时间更短，每小时可生产280片晶圆， 尽管如此，佳能研发了无需使用EUV即可制造5纳米芯片的纳米压印技术(NIL)，尼康和佳能并非一无是处，日本尼康、佳能和荷兰阿斯麦（ASML）曾是光刻机领域的三巨头，但随着科技发展及未跟上阿斯麦的193纳米浸没式光刻技术而逐渐没落，这款新光刻机的分辨率为小于38纳米，曝光面积为26x33毫米， 据悉。

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